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MDPspot 单点寿命检测仪

No.NO.MDPspot

桌面单点测量 
低成本的台式少子寿命测量系统,对不同制备阶段的硅材料电学参数进行表征。没有内置自动化。可选配手动z轴,用于厚度在156毫米以下的晶锭。MDPspot可配电阻率测试选项。仅适用于硅,用于晶圆片,也可用于晶锭。 结果可视化的标准软件。

特性

无接触和非破坏的电学参数测试;
对外延工艺监控和不可见缺陷检测,具有高分辨的可视化测试;
对于不同级别晶圆片,提供不同的菜单选项;

优势

用于不同制备阶段,从成体到最终器件,多晶硅或单晶硅单点测量载流子寿命的台式装置。
体积小,成本低,使用方便。拥有一个基本的软件,结果可视化。
适用于晶圆片到晶锭,易于高度调整。


其它

允许单片调查
不同种类晶圆片有不同的菜单
监控材料、工艺质量和稳定性
技术参数
样品 不同工艺处理样品,如钝化或扩散后的单晶或多晶硅晶圆、晶锭、电池等 样品尺寸 50 x 50 mm² 到12“ 或210 x 210 mm² 电阻率 0.2 - 10³ Ohm cm 材质 硅晶圆,晶锭,部分或全部加工晶圆,化合物半导体和其它类型 少子寿命检测范围 20ns到几十ms 尺寸 360 x 360 x 520 mm,质量:16 kg 电源 110/220 V, 50/60 Hz, 3 A
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弗莱贝格仪器公司(Freiberg Instruments)是一家在全球范围内享有盛誉的分析仪器公司,2005年于依托于德国弗莱贝格工业大学成立。公司最初致力于在生产条件下开发和测试一整套快速、无损的电气表征工具,用于测量参数如少数载流子寿命、光导率和电阻率。后续在2012年整合了拥有25年ESR顺磁产品经验的Magnettech公司,进一步增强了其在相关领域的技术实力。2015年EFG的X射线衍射产品,进一步丰富了公司的产品线、2020年成功收购FST公司,提供环境辐射检测设备。并于2021年荣获德国“德国创新TOP100”奖,彰显了公司的创新实力。弗莱贝格仪器公司产品广泛应用于半导体、微电子、光伏、剂量学、医学研究、发光测年、X射线衍射和材料研究等领域。目前在全球40多个国家中拥有3000套仪器的安装基础。在质量管理方面,弗莱贝格仪器公司一直秉持质量为重的理念,并已经通过了ISO 9001:2015认证。这证明了公司在质量管理方面已经达到了国际标准,并具备为客户提供优质产品和服务的能力。凭借其在电气特性测试工具领域的深厚技术积累、广泛的应用领域以及高质量的产品和服务,公司已经在全球范围内赢得了良好的声誉和地位。

MDPspot仪器综合介绍

MDPspot少子寿命测试仪采用微波探测光电导率衰减法检测材料的有效少子寿命,具有非接触、无损、快速、准确、适用范围广、操作简便、重复性好以及多功能性等显著优势。这些优势使得MDPspot仪器成为半导体和光伏材料研究、开发及应用领域不可或缺的重要工具。
一、仪器详细参数 

 1.1 MDPspot基本系统

 用于生产和研究实验室应用的MDPspot(微波探测光电导少子寿命测试仪)系统。全自动设备,以非接触、无破坏方式绘制材料的电输运特性(例如少数载流子寿命、光电导率和电阻率)。MDPspot设备能够应用于各种不同材料和制备阶段的测量,范围从原料、裸晶圆到不同的制备阶段。检测单晶硅和多晶硅中的污染物和电活性晶体缺陷是标准应用测试,也可用于多化合物半导体SiC、GaN、Si、GaAs等材料的表征。瞬态µPCD和稳态MDP测量选项是否可用,具体取决于激光选择。同时具备瞬态µPCD和稳态MDP测量(取决于激光器选择)。
单点能力:(取决于所选项)

  • 少数载流子寿命(τ)
  • 光电导率 (P)
  • 电阻率选配 (选配)

 1.2 样品特征:

  • 样品几何形状:5 ´5 mm至晶块样品;
  • 晶块尺寸:125 ´125、156 ´156 mm,长度在80至500 mm之间;
  • 晶片几何形状:10 ´10 mm至12英寸(直径300 mm),方形晶片、圆形晶片或任意几何形状,厚度 10 µm 至 156 mm,手动高度调节,手动装载

 1.3 少子寿命测量:

  • p型和n型材料均可测试
  • 电阻率范围:0.1 Ωcm至1000 Ω cm以上
  • 范围 20 ns ~ 20 ms(激光/激光二极管)
  • 空间分辨率:无自动mapping功能,可手动mapping操作
  • 光斑直径测量点在 0.8 至 1.2 mm 之间(默认设置)
  • 寿命重复性:<1%
  • 电阻率重复性:<1% (范围:0.5 ~ 3 Ωcm)

 1.4 激光器:

 默认激光器:

Module # ML008- 红外激光二极管 (980 nm,功率最大 100 mW)或

Module # ML011 - 红外激光二极管 (905nm,功率最大 9000 mW) µPCD,短脉冲

1.5 Module #L1207 - 个人电脑

配备显示器、键盘和鼠标,操作系统Windows 10或最新版本。

 1.6参考晶圆

提供生长的多晶硅参考晶圆(可根据要求提供其他材料)和其寿命测量协议。

 可选附加组件:

 Module # M1205 - 晶圆电阻率测量

涡流传感器-用于晶圆电阻率测量。由于设有距离相关的内部校准矩阵,传感器具有长期稳定性,无需定期重新校准。可与少子寿命同时测量。

步长≥1mm

除边:12mm

电阻率范围:0.5至5 Ω cm

晶圆厚度:180 – 250 µm

准确度:<5%

重复性:<1%(范围为0.5至3 Ω cm)

 Module # M1206 - 背景光/偏置光

测量期间,设有1个太阳光下的白光LED,光斑直径 >10 mm,用于陷阱饱和情况下的测量

 Module # M1207 - 反射测量 (MDP)

记录样品在照明下的相对反射;默认设置是980nm 附近的预校准。反射信息可用于注入浓度的计算。

步长:≥1mm

除边:10mm

准确度:<5%

重复性:<3%

 Module # M3004 – 软件扩展

包括各种软件功能,例如瞬态可视化和评估、注入水平独立测量和打印报告

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