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MDPpro 850+

用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。特征直拉硅单晶硅锭中的滑移线寿命范围20ns至100ms(样品电阻率>0.3Ohmcm)SEMI标准PV9-1110
技术参数
技术规格 材料 单晶硅 晶锭尺寸 125×125至210×210mm2, 晶砖长850mm或更长 晶圆尺寸 直径可达300 mm 电阻率范围 0.5 – 5 ohm cm。根据要求提供其他范围 导电类别 p/n 可测量的参数 寿命-μPCD/MDP(QSS)、光电导率、电阻率等 默认激光器 IR激光二极管(980 nm,最大500 mW)和IR激光二极管(905 nm,最大9000 mW)。 可根据要求提供其他波长 电力要求 100 – 250 V AC, 6 A 尺寸 (宽×高×长) 2560 × 1910 × 1440 mm 重量 约200kg 认证 根据ISO 9001准则制造,符合CE要求
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用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。
用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。

特征
直拉硅单晶硅锭中的滑移线


寿命范围
20 ns至100 ms(样品电阻率 > 0.3 Ohm cm)
SEMI标准
PV9-1110
测试速度
线扫描 < 30s
完整的面扫秒 < 5min
同时测量
寿命μPCD/MDP(QSS)和电阻率
直拉硅单晶硅锭中的滑移线
自动几何形状识别
含有大量缺陷的准单晶硅锭的寿命测量

G12、M10晶砖和晶圆片
应用
  • 寿命 &电阻率面扫描
  • 晶体生长监控(即滑移线)
  • 污染监测
  • 氧条纹/OSF环
  • p型掺杂硅的铁面扫描图
  • 光束感应电流(LBIC)
  • 发射极层的方阻
  • 更多…
                    直拉硅单晶硅锭中的滑移线 
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